产品简介
势创智能晶硅钙钛矿叠层电池 PL/EL检测一体机辅助分析缺陷产生的位置和原因,施加偏置电场或改变载流子分布,可观察到主导复合的区域在发生变化。
一、 基本功能
分类 | 用途 |
PL成像 | 无接触式测试,可帮助我们监测制程当中的异常,了解单节电池的面缺陷分布信息 |
EL成像 | 通过探针上电,可以分析电池的缺陷,尤其是电极和接触异常,属于接触式测试,只适 合测试成品电池片 |
1. 叠层1电池成像效果:
原图 | 彩图 | |
PL成像效果 | ||
钙钛矿层 |
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晶硅层 |
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EL成像效果 | ||
钙钛矿层 |
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晶硅层 |
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2. 叠层2电池成像效果:
原图 | 彩图 | |
PL成像效果 | ||
钙钛矿层 |
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晶硅层 |
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EL成像效果 | ||
钙钛矿层 |
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晶硅层 |
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二、表体分离功能
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PL+偏置场 正常PL 正常PL
(仅可观察到前表面复合)
用途:辅助分析缺陷产生的位置和原因,施加偏置电场或改变载流子分布,可观察到主导复合的区域在发生变化。
缺陷片表体分离:
缺陷成因分析,蓝框部分为体缺陷(隐裂),红框部分为表缺陷(划伤或表面污染)

总体成像 体与背面成像
(体材料+背面)
低效片表体分离:
低效片分析:通过表体分离成像,可发现在EL中不易发现的背体污染、黑边,可用于分析低效片成因。

总体成像 体与背面成像(体材料+背面)
三、 缺陷种类识别定制功能
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可根据缺陷种类进行识别定制,如黑斑、麻点、黑角、划伤等例:黑斑麻点
总体成像 体与背面成像
成像分类 | 蓝框表缺陷区域 | 红框体缺陷区域 | 材料缺陷 |
总体成像 | 麻点 | 黑点 | 无显现 |
体与背面成像 | 无显现 | 黑点 | 同心圆可见轻微 |
结论 | 缺陷未贯穿,可分析成因 | 缺陷已贯穿,并有淡化现象 | 可回溯原材料异常 |
三、高级功能
1. 局部统计分析

主要用途:通过鼠标,框选感兴趣的区域进行统计分析(iVoc);
2. 高阶功能:iVoc Mapping
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Hot渲染iVoc (mv) Hot渲染iVoc(mv)
用途:彩色渲染由PL或EL图像生成Mapping图像,面分布信息一目了然;
四、技术规格
可测样品类型 | 半成品电池和成品电池片、钙钛矿电池 |
可测样品尺寸 | 兼容10cm/21cm/23cm/30cm等尺寸 |
硬件配置 | 相机:高分辨率:2500万像素;高感光:130万像素曝光时间:10微秒~30秒 可响应范围:400nm~1200nm |
镜头:高清广角镜头:2个 | |
程控,恒流或恒压,电压范围:0~30V(72v),电流范围:0~10A | |
EL探针:上下两组探针排 | |
PL光源: 光源:Laser,长波808±5nm,1组,短波450nm±5nm,1组 | |
测试功能 | 基础功能:EL成像、PL成像、Rs成像 |
高阶功能: iVoc 分析:彩色Mapping 表体分离 | |
辅助功能:彩色渲染 图像保存:压缩格式jpg或无损格式png 报表功能:记录每片样品数据,后台生成excel数据库光标追踪功能:实时显示每个像素点的测量值 局域统计分析,后台生成excel数据库 | |
尺寸 | 1000*900*1600(长×宽×高),仅供参考,以实物为准 |
供电 | 单相,AC220V,50HZ |
功率 | 额定:1000W,峰值:2000W |
在线留言
电子邮箱: wangzhi@mvcreate.com
热线电话: 15950489233
公司地址: 南京市江宁区长青街19号汇川大厦18层