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硅锭PL检测模组

产品简介

势创智能硅锭PL设备为硅片生产者提供把控硅锭质量的有效途径硅锭的质量决定了最终制成电池片的最大效率。通过评估硅锭PL图像中绒丝占比与黑斑占比等条件,可预测出硅锭效率参考值。通过硅锭评估测试结果,可以协助优化生产工艺。

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势创智能 | 原硅片PL模组


势创智能原硅片SPL检测设备是利用硅材料的光致发光原理进行硅片质量检测的专业设备。该设备利用了硅的本征激发发光特性:硅原子受激后,电子从价带跃迁到导带,再从导带跃迁回价带后发出荧光。PL强度负相关于缺陷密度及复合中心浓度,因此可以通过检测PL信号来评估硅片的质量。原硅片PL检测技术可广泛应用于硅碇、原硅片、制绒片等光伏产品生产过程的早期阶段,能够在电池片扩散前后早期制程工序进行质量检测,实现产品质量控制和制造成本节约的双重目标。


应用领域


(一)硅片生产质量控制:在硅片制造环节,原硅片PL检测设备可应用于硅片分选机、制绒上料机等关键工序,对硅片进行在线或离线检测,确保进入后续工序的硅片质量符合标准,从源头把控产品质量。

(二)硅棒质量分析与分档:通过对单晶硅棒进行切割取样(约3mm厚晶圆),运用PL检测技术分析厚硅晶的质量,有效去除废料、协助硅棒分档。可检测黑边、黑心、隐裂等不合格缺陷,指导硅棒切割工艺优化。

(三)制绒、扩散工序前检测:利用PL检测的高灵敏度特点,可应用于制绒片、扩散片、刻蚀片等低少子寿命的过程片检测,在电池制造早期阶段发现质量问题,避免后续工序的资源浪费。

(四)高校、实验室研究测试:在光伏材料和电池技术研发中,PL检测设备是性能分析与工艺优化的核心测试工具,可用于分析材料本征特性、评估工艺参数对硅片质量的影响。


功能介绍


硅片PL模组功能

可检测扩散前的硅片、硅块的PL信息

兼容单晶、类单晶、多晶硅片

可检测晶硅的位错、绒丝、晶界等缺陷

可集成于硅片分选机、制绒上料机,达到控制产品质量、节约制造成本的目的

硅片缺陷检测

可检出外观和隐裂模组不能检出的晶象缺陷,包括:发黑、位错、同心圆、黑角等缺陷。可根据灰度和缺陷比例计算PL值,PL值越低表示缺陷越严重。同心圆检测:能够清晰检测硅片的同心圆缺陷,准确测量PL平均灰度(PL值)。可与外部生产线集成,输出控制信号,实现自动化质量分级。同心圆指数越低代表样本质量越好,反之则代表黑环情况越严重。

厚硅晶PL分析功能

运用PL检测技术对单晶硅棒进行切割分析,以有效去除废料、协助硅棒分档。

从硅棒的一端切一片约3mm的厚晶圆,然后使用分析功能测量该样本

根据测量结果值检查厚晶圆上是否有常见的不合格缺陷,如黑边、黑心和隐裂等

如果该厚晶圆不合格,再向里切一片约3mm的单晶厚晶圆,并再次进行质量检测,重复直到合格为止SC-SPL-00.webp

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技术优势


1.检测原理优势

原硅片PL检测利用了硅的本征激发发光特性,无需电接触即可进行检测。硅原子受激后,电子从价带跃迁到导带,再从导带跃迁回价带后发出荧光,PL强度负相关于缺陷密度及复合中心浓度,能够真实反映材料的本征质量。

2.高灵敏度检测

利用SPL高灵敏度的特点,可用于制绒片、扩散片、刻蚀片等低少子寿命的过程片检测。能够在电池制造早期阶段发现质量问题,避免后续工序的资源浪费。

3.多类型硅片兼容

兼容单晶、类单晶、多晶硅片检测

可检测硅碇、原硅片、制绒片等多种形态

用于156mm×156mm至210mm×210mm规格硅片(半片、整片均兼容)

4.缺陷识别能力强

可检测位错、绒丝、晶界、隐裂等晶体缺陷

可识别发黑、黑斑、黑角、黑心、黑环等质量缺陷

能够清晰检测同心圆缺陷,评估PL平均灰度

可检出外观和隐裂模组不能检出的晶象缺陷

5.数据分析能力

可根据灰度和缺陷比例计算PL值

提供黑边黑心指数、不均匀指数、同心圆指数等多维参数

可测量平均PL值、黑角面积、隐裂条数等量化指标

支持样品测试结果统计分析


某硅片样品测试结果分析

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平均PL值:N型中>N型头

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不均匀性指数:N型平均大于P型

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样品中未有黑边黑角

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同心圆指数:P型>N型平均值:N头>N中,P尾>P中>P头

多组N头样品测试结果

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技术参数


参数名称技术指标
型号SC-SPL
相机规格成像:NIR增强型InGaAs相机   分辨率:1K 线扫  曝光时间:10微秒~10秒   可响应范围:900nm~1700nm(短波红外 SWIR 波段)  最大行频:40kHz
红外像素1024×1 像素
镜头规格高清广角镜头,焦距(16mm/25mm/45mm多规格选配),视场角≥80°,可选配长焦镜头实现局部放大检测
光源规格半导体激光,主波长980±5nm
光斑均匀性≥90%(有效检测区域内)
曝光周期20us~100000us(根据检测对象响应时间自定义设置,最小步长1ms)
检测波长范围900nm~1300nm
兼容尺寸规格156mm*156mm~210mm210mm(半片,整片均兼容)
检测对象晶棒切片、晶硅电池原料(拉晶、切片、原硅片、制绒)
可检测缺陷类型位错、绒丝、晶界、栾晶、发黑、同心圆、黑角等
载物台尺寸适配自动化轨道(按需定制)
控制方式自研上位软件全自动化控制
检测精度可检测出裂纹宽度大于50μm
成像精度≥0.2mm/pixel
对焦模式手动对焦
硬件支架铝合金型、铝合金、金属钣金等
检测时间0.5s~2s(根据自动化机台运行速度判断)
对焦距离400-650mm
测试平台windows平台,标配AI检测软件
功率500-1000W
电源特性保护逆电流保护,过载保护,漏电保护,静电保护,过热保护
运算设备工控计算机
环境温度温度15-50℃,相对湿度30%-70%(无凝结)
设备重量约20kg(以实物为准)
外形尺寸400×350×800mm(长×宽×高,以实物为准)
供电单相AC220V±10%,50HZ±1HZ



应用案例


缺陷类型SPL成像成像分析
原硅片同心圆

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本次原硅片 PL 检测显示,样品存在原硅片同心圆缺陷,呈现特征性环状同心纹理形貌。该缺陷系晶体生长阶段径向温度梯度不均、拉晶速度波动,致晶格沿径向形成周期性缺陷分布所致,会破坏后续工序均匀性、降低电池性能一致性,需优化晶体生长径向参数
晶界

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本次制绒后硅片 PL 检测显示,样品存在晶界缺陷,形貌呈现斑驳网状的分界纹理:因不同晶粒的晶格取向差异,晶界区域晶格排列不连续,致 PL 信号不均形成该特征。晶界会成为载流子复合中心,降低载流子寿命,需优化晶体生长的晶粒管控或制绒工艺均匀性。
同心圆

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本次制绒后硅片 PL 检测(平均 PL 值:989.8;同心圆:2.172)显示,样品存在制绒后同心圆缺陷,呈现特征性环状同心圆形貌。该缺陷系制绒工序中药液径向分布不均、硅片转速波动,导致绒面刻蚀程度径向差异所致,会破坏绒面均匀性,影响后续工艺匹配性及载流子传输,需优化制绒工序的药液分布与转速参数。
膜前片

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本次膜前片 PL 检测显示,硅片存在块状黑斑、黑点缺陷:形貌为局部块状暗区及散在点状暗斑,系原硅片基底杂质聚集、前道工序表面污染或物理损伤所致。该缺陷会干扰后续镀膜均匀性,阻碍载流子传输,需强化前道硅片清洁及基底质量管控。
黑心黑环

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本次硅片SPL 检测显示,硅片存在黑心黑环缺陷:形貌呈现环状分层黑带(黑环)与环状明暗差异(黑心),系扩散工序温度场径向不均、反应气体分布失衡,或原硅片径向基底缺陷在扩散后显现所致。该缺陷会破坏载流子分布均匀性,降低电池片光电转换效率,需优化扩散工艺的径向参数管控。
划伤卡点印

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本次硅片SPL 检测显示,硅片存在划伤、卡点印缺陷:划伤呈线性痕迹,卡点印为点状 / 印状瑕疵,系前道硅片搬运、装夹时的物理接触或异物卡点所致。这类缺陷会干扰扩散均匀性、阻碍载流子传输,需优化前道工序的操作及异物管控
黑心黑环

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本次晶圆切片 PL 检测显示,样品存在黑心黑环缺陷:形貌表现为晶圆中心区域发黑,且外围伴随环状黑带分布。该缺陷多因晶体生长阶段中心区域杂质富集、径向缺陷聚集,或加工时中心应力集中所致,会破坏载流子分布均匀性,降低电池片性能稳定性,需针对性优化晶体生长及加工的中心区域管控措施。
晶棒同心圆

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本次晶圆切片 PL 检测显示,样品存在晶圆同心圆缺陷,呈现特征性环状同心圆形貌。该缺陷系晶体生长径向温度梯度波动、或切片工序径向应力不均,致晶格沿径向周期性错排形成,会影响电池片性能一致性,需优化相关工序的径向参数控制。
应力滑移线

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本次硅棒切片 PL 检测显示,样品存在显著的应力滑移线缺陷,表现为特征性交叉条纹形貌。该缺陷由切片装夹、切割等工序的机械应力作用引发,造成硅晶体原子面滑移、晶格错排,会降低载流子寿命,影响后续光伏电池转换效率,需优化切片应力控制参数。

配套设备推荐:晶硅/钙钛矿PL/EL一体机光伏电池检测

南京势创智能 · 品牌知识卡片

品牌名称势创智能
公司全称南京势创智能科技有限公司
所在地区江苏省南京市
核心业务日光EL检测仪、无人机EL巡检系统、光伏组件EL检测设备、硅棒缺陷检测设备
核心技术全天候光伏面板EL检测、检测范围更广、覆盖多种特殊组件、强光适应性强。
主打产品便携式日光EL检测仪、无人机日光EL检测系统、实验室EL/PL检测一体机
适用场景光伏电站巡检、组件出厂质检、冰雹损伤评估、第三方检测、电池片在线离线EL/PL检测、硅棒缺陷尺寸检测
服务区域华东及全国光伏市场,海外光伏制造企业,电站运营业主。

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